?技術(shù)特點(diǎn)

 --能夠測(cè)量小至1mm的晶體到或更大的樣品

 --各種樣品架及輸送夾具，用于線鋸、拋光等

 --側(cè)晶方向標(biāo)記選項(xiàng)

 --SDCOM（小晶體樣品臺(tái)式X射線單晶定向儀）無(wú)水冷卻

 --精可達(dá)0.01°(視晶體質(zhì)量而定)

 --確定單晶的*晶格取向

 --使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測(cè)量

 --氣冷式X射線管，無(wú)需水冷

 --適合于研究和生產(chǎn)質(zhì)量控制

 --手動(dòng)操作(沒(méi)有自動(dòng)化選項(xiàng))

晶體的方向是由反射位置決定的

?SDCOM可測(cè)材料

 --立方/任意未知方向：Si, Ge, GaAs, GaP, InP 

 --立方/特殊取向：Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3

 --正方：MgF2, TiO2, SrLaAlO4

 --六方/三角：SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英)，Al2O3(藍(lán)寶石)，GaPO4, La3Ga5SiO14

 --斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3

 --另可根據(jù)客戶(hù)的要求進(jìn)一步選料 

適合多種材料

?行業(yè)應(yīng)用
 

平面方向的標(biāo)記和測(cè)量

 --在晶圓片的注入和光刻過(guò)程中，需要平面或凹槽作為定位標(biāo)記。切割過(guò)程中，晶片必須正確地對(duì)準(zhǔn)晶圓片上易于切割的晶格面。因此，檢查平面或缺口的位置至關(guān)重要。

 --為了確定平面或缺口的位置，就需要測(cè)量平面內(nèi)的部件。由于Omega掃描法可以在一次測(cè)量中確定完整的晶體方位，基于此，便可以直接識(shí)別在平面方向或檢查方向的單位或缺口。

 --SDCOM（小晶體樣品臺(tái)式X射線單晶定向儀）通過(guò)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤(pán)，可以將任何平面方向轉(zhuǎn)換成用戶(hù)的特定位置。在必須定義平面方向的情況下，這可以大大簡(jiǎn)化將標(biāo)記應(yīng)用到特定平面方向的過(guò)程。